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全球NAND大廠相繼投入96層NAND Flash制程，加快市場價格跌幅加速。SK海力士

從2017年供不應求的榮景，NAND Flash市況在2018年進入風云變色的調(diào)整期，生產(chǎn)業(yè)者持續(xù)擴大64層3D TLC NAND供貨，新一代制程技術(shù)及更大容量規(guī)格正伺機而出，供過于求與終端市場買氣不足，導致2018年NAND Flash跌價幅度超過6成。

到2018年底，每GB價格已下探至0.08美元，逐漸逼近部分廠商的成本價，在跌價、擴產(chǎn)等多重因素影響下，2019年市況風云詭譎，供應鏈洗牌淘汰賽一觸即發(fā)，也為全球產(chǎn)業(yè)的競合局勢更加增添煙消四起的氛圍。

全球半導體廠商新工廠布局情況

全球SSD出貨量預測

2H18 2.5" SSD SATA3 480GB TLC 價格走勢

NAND位產(chǎn)出連年成長　終端市場亂象橫生

DRAM與NAND Flash內(nèi)存市場在過去幾年幾經(jīng)產(chǎn)業(yè)跌宕，在供過于求壓力下，2015~2016年市價下滑，2017年再度風生水起、漲勢不止，然而產(chǎn)業(yè)榮景未如預期延續(xù)，各家大廠競相強化投資規(guī)模，3D NAND Flash新增產(chǎn)能開出，市場需求卻成長平緩，加速2018年全球NAND Flash價格一路走跌。

受到技術(shù)與良率瓶頸，2018年3D NAND良率提升速度并不如預期順利，因而導致次級品在外流通銷售，進而干擾市場價格，對應至終端應用，消費型SSD市場首當其沖。

從2017年12月中~2018年第3季跌價幅度已經(jīng)逾5成，120G SSD價格超跌下探0.2美元∕GB關(guān)卡，質(zhì)量參差不齊的問題延續(xù)至第3季，至于240GB和480GB價格在2018年累積跌幅也分別超過4~5成以上。

業(yè)界原先期待在第3季傳統(tǒng)旺季效應下，NAND Flash價格有望止跌反彈，不料智能型手機出貨平淡、換機熱潮難再重現(xiàn)以及PC市場飽和等因素，導致旺季不旺，而供應端的64/72層3D NAND產(chǎn)出增加，供給過剩庫存無法順利去化，第3季平均合約價格跌幅達10~15%。

相較于第3季市況呈現(xiàn)價跌量增，到了第4季進入了價量齊跌的局面，美中貿(mào)易戰(zhàn)升溫的市場憂慮、英特爾(Intel)CPU缺貨以及蘋果(Apple)新機銷售欠佳，終端預期跌價心理因素，加速了第4季合約價跌幅擴大，業(yè)界估計，從年初至第4季的NAND Flash跌幅約達6成，遠超過年初預期。

據(jù)DIGITIMES Research估計，NAND Flash位出貨量從2017年起連續(xù)呈現(xiàn)3~4成的成長率，包括在2017年成長36%、2018年拉升至成長43%，即使業(yè)界預期，2019年NAND Flash價格將會進一步走跌，但依舊有更多產(chǎn)能前仆后繼投入，預計2019年位出貨量仍達到39%，整體市場延續(xù)供過于求風雨欲來。

96層堆棧邁向主流　QLC量產(chǎn)帶來容量價格戰(zhàn)

NAND Flash技術(shù)制程的升級，在強化了個別企業(yè)的競爭力之余，也發(fā)揮了大容量及儲存密度的成本優(yōu)勢，國際大廠如三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)與威騰(WD)、美光(Micron)、英特爾、SK海力士(SK Hynix)投入軍備競賽的戰(zhàn)線延長。

目前3D NAND已是各大原廠主要量產(chǎn)制程，其中，三星3D NAND約占85%、東芝與威騰為75%、美光達到90%，SK海力士也達到60%，2018年下半起，部分業(yè)者已轉(zhuǎn)向96層堆棧邁進，單顆Die容量也邁入1Tb(128GB)。

各家NAND業(yè)者大舉進攻新世代制程，2018年也是QLC(4bit/cell)架構(gòu)量產(chǎn)元年，相較目前TLC NAND，QLC NAND技術(shù)的位密度高出了33%，將可發(fā)揮高容量優(yōu)勢。

其中美光搶得業(yè)界先發(fā)量產(chǎn)，首先將64層QLC產(chǎn)品推入企業(yè)級應用，鎖定服務(wù)器市場，而三星也不甘示弱切入消費性電子市場，并推出1Tb QLC SSD新品，后續(xù)再推出企業(yè)用QLC SSD。三星近期宣布QLC SSD產(chǎn)品價格，比起2018年1月上市相同容量的TLC SSD約便宜40%左右，儼然透露出積極價格攻勢的強烈企圖。

部分反應較快的廠商早，已嗅到大容量價格戰(zhàn)的到來，從年中起陸續(xù)降價出清庫存的中小型容量SSD，試圖降低QLC帶來的沖擊，接下來SK海力士、威騰與東芝也將各自推出自家的QLC產(chǎn)品，容量最高可達單顆4TB的儲存量，TB級SSD時代即將來臨。

不過先前一度傳出64層QLC良率偏低，QLC晶粒良率僅約5成左右，以此估計，2019年上半恐怕將再度重演2018年市場次級品拖累價格的夢魘，且QLC制程更為困難，估計業(yè)界改善量產(chǎn)良率的時間可能會再拖長。

大陸內(nèi)存業(yè)者崛起　NAND扮演領(lǐng)頭羊

據(jù)大陸市調(diào)公司統(tǒng)計，2018年全球半導體市場規(guī)模達到1,500億美元，其中NAND Flash超過570億美元，而大陸市場消耗了全球產(chǎn)能的32%，這意味著大陸已成為全球主要的市場，為了擺脫長期對外采購的依賴，大陸內(nèi)存芯片自主發(fā)展成為當務(wù)之急。

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不過福建晉華與美光從互控侵權(quán)、進而演變?yōu)槊绹畬Ω＝〞x華祭出禁令后，大陸DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展勢必將遭到延宕，而長江存儲邁入量產(chǎn)正蓄勢待發(fā)，成為大陸自主NAND技術(shù)突圍發(fā)展的重要指標廠商。

長江存儲的32層3D NAND已順利問世，并進入小量生產(chǎn)，但32層堆棧制程缺乏競爭力，據(jù)業(yè)界指出，日前長江存儲采取Xtacking架構(gòu)的64層NAND樣品，已送交給相關(guān)供應鏈進行測試。

由于讀寫質(zhì)量大致穩(wěn)定，若進度符合預期，預計最快2019年第3季將可望投產(chǎn)，屆時將有機會轉(zhuǎn)虧為盈，而長江存儲也規(guī)劃2020年將跳過96層3D NAND，截道超車跨向128層3D NAND。

隨著長江存儲武漢存儲基地一期已投入生產(chǎn)，原預計產(chǎn)能為10萬片，實際產(chǎn)能可達15萬片，而武漢存儲基地二期也緊接著開工，并持續(xù)擴大生產(chǎn)規(guī)模，隨著量產(chǎn)技術(shù)提升及規(guī)劃產(chǎn)能30萬~45萬片全數(shù)開出，未來將有機會搶進全球約10%市占率。

長江存儲的母公司清華紫光集團同時在其他據(jù)點推展建設(shè)進度，包括南京廠與成都廠先后于年底前進入動工階段，合計三大生產(chǎn)基地將投入人民幣1,800億元生產(chǎn)3D NAND芯片，另一方面，紫光集團也頻頻招手英特爾合作，欲傾集團資源之力全速發(fā)展NAND Flash制程。

業(yè)界認為，大陸崛起進入NAND Flash市場只是時間問題，雖然2019年仍處于試車階段，但在逐漸增加產(chǎn)出貢獻后，在進行技術(shù)轉(zhuǎn)變的過程中，仍需要解決量產(chǎn)良率的問題，而良率不合格問題產(chǎn)品是否將影響市場秩序，將值得觀察。

全球群雄逐鹿　NAND產(chǎn)業(yè)腥風血雨

相較于DRAM產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷了汰弱留強后，如今全球僅剩下三星、美光與SK海力士等三大巨擘，而三星更占據(jù)全球DRAM近5成市占， NAND產(chǎn)業(yè)正處于戰(zhàn)國群雄各自割據(jù)，各家供給產(chǎn)出擴張、價格下滑刺激需求，將為2019年NAND產(chǎn)業(yè)帶來契機、也帶來嚴峻考驗。

三星已宣布量產(chǎn)第五代90層以上3D NAND Flash，并將陸續(xù)投資70億美元在大陸西安設(shè)立第二家NAND Flash制造工廠；東芝與威騰合作四日市工廠Fab 6從2018年9月起量產(chǎn)96層3D NAND；市占率最低的英特爾也宣布位于大連的第二期NAND工廠投產(chǎn)，并生產(chǎn)96層3D NAND；SK 海力士于10月在南韓忠清北道清州舉行M15工廠啟用典禮，開始生產(chǎn)96層堆棧的3D NAND。

雖然在價格跌幅不只的壓力下，近來東芝與威騰有意放緩四日市工廠第二期的96層3D NAND機臺設(shè)備導入進度，而美光也預計2019財年NAND晶圓產(chǎn)能的資本支出將較2018年度調(diào)降等，但群雄逐鹿NAND產(chǎn)業(yè)版圖，預料各大NAND業(yè)者擴充軍備仍將馬不停蹄。

除了加碼投資力道外，產(chǎn)業(yè)技術(shù)競爭也延伸至技術(shù)人才挖角，據(jù)傳，英特爾為了建立大連廠3D NAND團隊，分別鎖定三星與SK海力士的核心工程師，另一方面，英特爾近日也控告前員工竊取3D Xpoint技術(shù)數(shù)據(jù)后投奔美光，半導體產(chǎn)業(yè)搶人大戰(zhàn)延伸至內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)線越趨激烈。

此刻必須回頭再思考的是，為何NAND業(yè)界仍要繼續(xù)擴充產(chǎn)能？受惠于降價帶動消費性SSD搭載率將加速成長，2019年SSD滲透率將有機會與HDD進入交叉點，另一方面，在人工智能、云端運算、邊緣運算、物聯(lián)網(wǎng)等應用快速普及的情況下，衍生的大數(shù)據(jù)演算需求，將對儲存裝置對容量、可靠度與效能的要求也越來越高。

2018年NAND價格已回到了2016年漲價前的價格水平，短暫的NAND Flash缺貨漲價美好時代已然結(jié)束，取而代之的將是透過降價激勵，而帶動各類應用需求成長百花齊放，伴隨而來的將是強者愈強、技術(shù)性能取勝的產(chǎn)業(yè)淘汰賽，2019年NAND Flash產(chǎn)業(yè)再現(xiàn)洗牌效應，更將掀起全面性的儲存容量價格戰(zhàn)。(2019年產(chǎn)業(yè)展望系列)