為了打破韓國在閃存上的壟斷，國內(nèi)公司都在努力，之前長(zhǎng)江存儲(chǔ)曾宣布，2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，而今年他們還將出樣32層NAND閃存。這消息足以讓人振奮，但就算一切進(jìn)展順利，三星等廠商是在今年內(nèi)全面開始量產(chǎn)64層堆棧閃存，所以國產(chǎn)與其差距也要在2年以上 ， 而真正達(dá)到相抗衡的條件，恐怕還要等的更久。

面對(duì)國產(chǎn)閃存瘋狂追擊，三星自然不敢懈怠，其今天宣布將擴(kuò)大中國西安工廠的NAND閃存芯片產(chǎn)能，未來三年投資70億美元。

其實(shí)在這之前， 三星已經(jīng)在韓國投資186.3億美元 ，以鞏固其在內(nèi)存芯片和下一代智能手機(jī)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。除了三星，東芝和SK海力士也已投入了數(shù)百億美元來推動(dòng)NAND閃存的生產(chǎn)，不過隨著高端存儲(chǔ)產(chǎn)品的普及，NAND芯片的短缺問題更為嚴(yán)重。

三星現(xiàn)在也在通過更大規(guī)模的投資來擴(kuò)大閃存、內(nèi)存的產(chǎn)能，畢竟智能手機(jī)制造商越來越傾向選擇更大存儲(chǔ)。