三星與東芝的64層3D NAND閃存技術，三星的CTF格式化檢測技術，較受矚目。圖為三星的閃存。法新社

世界最大的尖端半導體相關技術國際學術會議，國際固態(tài)電路研討會(ISSCC)的2017年度大會中，三星電子(Samsung Electronics)，及美國威騰(Western Digital)與日本東芝(Toshiba)的合作團隊，都公布了64層、512Gb容量的3D NAND閃存，且基本的讀寫速度與技術特征都相似。

據日本PC Watch網站的半導體業(yè)專家福田昭報導，雖然三星與東芝公布的產品類似，但發(fā)表后的反應卻截然不同。對東芝方面只有1個工程師提出發(fā)問，三星方面則大排長龍，顯示三星的技術有其特出之處，值得關注。

三星這次推出的64層3D NAND，被該廠歸類于第三代技術，與第二代的48層相比，最大的技術障礙是垂直穿孔要穿透的層數(shù)增加3分之1，這要不是穿孔深度增加，就是每層之間的厚度要減薄，而厚度減薄可能減薄每層之間的絕緣層厚度，如何降低互相干涉導致數(shù)據存取發(fā)生錯誤，就是最主要的課題。

而三星特有的閃存制程技術，電荷擷取閃存(Charge Trap Flash；CTF)，是以電荷擷取(Charge Trap)膜或電洞捕捉作為載子的電子，藉此記錄或消去數(shù)據。

而這技術的主要問題，在于載子的能階，能把載子固定在電荷擷取膜的深層缺陷區(qū)內，則載子便比較不易受到電流或溫度的變化而逃脫，記憶比較容易保存，若載子僅被固定在淺層區(qū)，記憶便容易隨載子的逃脫而消失，意味的就是內存性能劣化。

但是，當3D NAND閃存以減薄厚度的方式增加層數(shù)，則電荷擷取膜的厚度變薄，載子就比較容易被固定在淺層區(qū)，這意味著隨3D NAND閃存層數(shù)增加，良率便將隨之明顯下跌，若不能克服這個問題，則3D NAND閃存便缺乏商用價值。

三星現(xiàn)在發(fā)展的技術，就是在初次記憶體格式化的過程中，順便檢查與消除淺層區(qū)，原則上是讓內存的每個記憶單元，依其連接線路分成奇數(shù)組與偶數(shù)組，分別對奇數(shù)組與偶數(shù)組加高電壓清除淺層區(qū)，經仔細調整，記憶單元不良率可降低為7%。

隨智能型手機與個人計算機性能提升，大容量閃存芯片的需求跟著增加，現(xiàn)在新的512Gbit閃存芯片推出，可望更進一步提高記憶卡與SSD的性能，值得仔細觀察。