NAND Flash缺貨態(tài)勢有機會在2018年第1季緩解。李建梁攝

2017年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)景氣復(fù)蘇，包括消費性電子、網(wǎng)通、SSD等各類需求竄出，然上游晶圓缺貨，在產(chǎn)能擴充不及、供應(yīng)極度緊張情況下，后段內(nèi)存封測廠營運得各顯神通，供應(yīng)鏈業(yè)者表示，隨著3D NAND Flash良率逐漸改善，2018年第1季NAND Flash供應(yīng)問題可望緩解，內(nèi)存相關(guān)封測業(yè)者力成、華泰、南茂、華東等可望松口氣，后續(xù)并將爭取大陸紫光旗下長江存儲訂單商機。

內(nèi)存模塊業(yè)者透露，目前DRAM需求與獲利皆呈現(xiàn)正向循環(huán)，短期內(nèi)全球DRAM大廠對于產(chǎn)能擴建相對理性，DRAM后市可望持穩(wěn)。至于在NAND Flash領(lǐng)域，內(nèi)存大廠3D NAND良率持續(xù)精進(jìn)，估計2017年第4季為NAND Flash價格高峰，2018年供應(yīng)緊張狀況可望緩解。

NAND Flash供需緊張紓解，對于手握非韓系各大內(nèi)存廠封測訂單的力成來說影響有限，但對于二線中、小型內(nèi)存封測業(yè)者將有助于營運改善，包括華泰等二線業(yè)者2017年受到內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇的幫助不大，第4季必須仰賴EMS代工服務(wù)來支撐營運，若2018年上半NAND Flash缺貨狀況改善，將有助于華泰產(chǎn)能利用率回升，有機會在2018年扭轉(zhuǎn)虧損。

另外，美光(Micron)在臺中設(shè)立封測廠后，對于力成、南茂等臺廠沖擊不小，南茂主要承接的美光內(nèi)存封測訂單多轉(zhuǎn)移至力成西安廠，南茂必須爭取大陸業(yè)者釋出的NOR Flash封測訂單，來彌補美光訂單的空缺，預(yù)期第4季營運表現(xiàn)僅能與第3季持平，然因長江存儲研發(fā)NAND Flash進(jìn)度優(yōu)于預(yù)期，2018年爭取長江存儲訂單將成為一個選項。

對于亟欲重返DRAM封測的硅品來說，由于美光與聯(lián)電晉華的專利權(quán)官司未解決，未來在DRAM封測的布局尚有變量。業(yè)界人士透露，內(nèi)存成為整體半導(dǎo)體成長的主要動能，產(chǎn)業(yè)可望回溫3~5年，由于硅品蘇州廠已經(jīng)讓紫光取得3成股權(quán)，業(yè)界看好未來硅品與紫光集團(tuán)合作將進(jìn)一步深化，并爭取長江存儲內(nèi)存封測訂單。

封測業(yè)者表示，內(nèi)存缺貨漲價對于后段封測廠并不利，因為量能無法提升，且內(nèi)存廠會把訂單分配給關(guān)系較好的合作廠商。晶圓測試業(yè)者坦言，目前提供內(nèi)存晶圓測試探針卡的業(yè)者，在內(nèi)存客戶端的接單狀況都是滿載，內(nèi)存后市相當(dāng)受到期待，但對于模塊廠、后段封測廠來說，仍有待整體供需狀況進(jìn)一步平衡。

內(nèi)存封測龍頭力成11月營收一舉沖上新臺幣56.32億元，月增1.87%，寫下單月歷史新高，估計第4季可望挑戰(zhàn)單季新高，全年營收成長兩位數(shù)無虞，累計1~11月營收年增23.59%。力成先前表示，第4季來自邏輯IC封測貢獻(xiàn)將優(yōu)于季節(jié)性表現(xiàn)。