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三星V-NAND SSD走向普及 2016年底NB搭載率上看40%

發(fā)布時間 : 2016-07-14    文章來源:

   三星電子PC市場上的新一代儲存媒介固態(tài)硬盤(SSD)開始普及,三星電子(SamsungElectronics)是否可改變未來市場版圖,受到矚目。

  SSD是傳輸速度較傳統(tǒng)硬盤(HDD)速度快4倍以上,可耐受外來沖擊的儲存裝置。噪音和發(fā)熱問題較少,擁有優(yōu)勢,但價格較HDD高,且儲存容量較不足。
  據(jù)南韓Newsis引用市調(diào)機構TrendForce資料指出,2016年第4季出貨的筆記本電腦(NB)中,SSD的搭載比重將達40%以上。分析指出,第1季搭載SSD的NB比重占整體28~29%,預估到第4季為止將快速攀升的原因為HDD的價格上揚,及V NAND產(chǎn)品的發(fā)展。

  一般稱為3D NAND Flash的技術,是將芯片以垂直堆棧的方式,在較窄的面積上,實現(xiàn)低功率、電路集成度高的產(chǎn)品。不僅提升傳輸速度和生產(chǎn)效益,耗電量也降低。

  值得關注的是,V NAND是三星為了展現(xiàn)自家技術能力而使用的詞匯,顯示目前產(chǎn)品的發(fā)展由三星主導。報導指出,目前可大量生產(chǎn)3D NAND的企業(yè)僅三星一間。其他半導體競爭企業(yè)約要到2017年上半才能量產(chǎn)。
  三星個人用SSD 2015年在全球市場上掌握了54%市占率,三星陸續(xù)推出SSD新產(chǎn)品,加速領導市場,5月底三星更推出體積較10元硬幣更小的512GB SSD「BGA NVMe SSD」。一個封包內(nèi)建NAND Flash、DRAM和控制器,體積僅2.5吋HDD的1%。

  在2013年推出超薄型筆記本電腦專用SSD系列產(chǎn)品后,睽違3年再推出搭載面積縮減至5分之1的產(chǎn)品,展現(xiàn)技術力。三星表示,該產(chǎn)品可提升新一代PC的設計彈性。未來全球IT企業(yè)將可設計并推出更薄、更具設計感的創(chuàng)新PC。
  除尖端技術外,三星的普及型系列產(chǎn)品也持續(xù)調(diào)降價格,致力于推動SSD大眾化。5月底三星追加推出750 EVO系列的500GB容量產(chǎn)品。三星2015年推出125GB和250GB產(chǎn)品,考慮消費者需求,再推出大容量的500GB產(chǎn)品,并降低消費者價格負擔。
新聞幕后:三星稱霸SSD市場 各家大廠醞釀反攻據(jù)南韓情報通信技術振興中心資料,全球SSD出貨量從2015年約1.1萬顆,將會一路成長到2020年的2.4萬顆,預計這段期間的年平均成長將會達到16.9%。另一方面,HDD則將從2014年的5.64萬顆,衰退到2019年的4.2萬顆,年平均負成長率約為5.7%。
  到目前為止,全球SSD市場仍是由三星電子(Samsung Electronics)取得壓倒性的市占率。根據(jù)市調(diào)機構IDC指出,三星擁有3D V-NAND技術的加持,在2015年SSD市場上,以營收基準來看,市占率為39.7%,而出貨量則是40.0%。
  為了要追上三星,英特爾(Intel)也開始積極地展開戰(zhàn)略投資。自2016年底開始,將會導入比現(xiàn)有3D V-NAND更快,耐久度更好的3D Xpoint內(nèi)存,并投產(chǎn)以此為基礎的SSD Optane。英特爾預計自2016年下半開始在大陸大連的內(nèi)存廠投資約55億美元進行生產(chǎn)。
  另一方面,大陸則間接透過收購新帝(SanDisk)來敲開SSD市場大門。目前全球最大的HDD廠商為威騰(WD),威騰最大股東則是大陸清華紫光集團。在2015年10月,威騰展開了對新帝的收購,并在5月完成最后作業(yè)。
  在企業(yè)用SSD市場中,威騰和新帝合計市占率約為30%,超過了英特爾(24.6%)以及三星(20.6%)。此外,日本東芝(Toshiba)與SanDisk合作打造3D NAND新產(chǎn)線,大陸廠也紛紛發(fā)表了投資3D NAND部門的計劃。
  這些積極醞釀反攻的各家廠商們,也開始逐步動搖了三星在SSD市場的霸權地位。
  360°:3D V-NAND3D V-NAND是一種利用垂直堆棧技術的閃存,包括三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)和IBM等科技業(yè)者均開發(fā)3D NAND,預計2014年時將可商用化。
  3D V-NAND無須縮小內(nèi)存單元(memory cell),而是利用3D堆棧技術封裝更多的單元,此技術有諸多好處,包括在一個較小的實體空間里提升容積率(Capacity/Volume ratio),如此將可降低干擾,編程時間也會縮短,再加上各單元互相鏈接長度縮減,意味著電氣性能大為提升,總耗電量跟著減少。
  三星在2013年發(fā)布世界首款3D V-NAND(垂直閃存),采用電荷擷取閃存(CTF)架構,將電荷暫時儲存在閃存非導電層(Non-conductive Layer)的氮化硅(Silicon Nitride)通道中,改善浮點閘極方案中相鄰單元格互相干擾的弊病。
 三星目前已開始量產(chǎn)第二代32層V-NAND,耗電量降低20%。此外,IM Flash  Technologies(IMFT,英特爾和美光合資企業(yè))、東芝和海力士(Hynix)等NAND廠商也各自有自己的V-Nand計劃。 


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